Samsung beginnt mit der Massenproduktion von 9. Generation V-NAND

In einer wichtigen Entwicklung auf dem Speicher-Markt hat Samsung in diesem Monat, d.h. April’24, mit der Massenproduktion von 9. Generation V-NAND (Vertical NAND) begonnen. Es bietet eine 50% Verbesserung der Bitdichte im Vergleich zur vorherigen Generation und ist mit der Channel Hole Etching-Technologie ausgestattet.

Laut der offiziellen Pressemitteilung ist die neue Generation von V-NAND effektiver, zuverlässiger und langlebiger, da sie auf jüngsten Innovationen wie der Vermeidung von Zellinterferenzen und der Verlängerung der Zelllebensdauer basiert.

Die 9. Generation V-NAND verbraucht 10% weniger Energie, was es zu einer idealen Lösung für die kommenden Jahre macht, da die Bedenken hinsichtlich der Kohlenstoffemissionen zunehmen.

Zur Veröffentlichung der 9. Generation V-NAND sagte SungHoi Hur von Samsung Electronics,

Wir freuen uns, die erste 9. Generation V-NAND der Branche zu liefern, die zukünftige Anwendungen erheblich voranbringen wird. Um den sich entwickelnden Bedürfnissen nach NAND-Flash-Lösungen gerecht zu werden, hat Samsung die Grenzen der Zellarchitektur und des Betriebsplans für unser nächstes Produkt verschoben. Mit unserem neuesten V-NAND wird Samsung weiterhin den Trend für den Hochleistungs-, Hochdichte-SSD-Markt setzen, der den Anforderungen der kommenden KI-Generation gerecht wird.

Bildquelle: Samsung Mit einer neuen NAND-Flash-Schnittstelle, Toggle 5.1, verbessert die 9. Generation V-NAND den Daten-Ein-/Ausgang auf 3,2 Gbps, was eine 33% Steigerung gegenüber der vorherigen Generation darstellt.

Der Beginn der Massenproduktion der 9. Generation V-NAND fällt mit dem Aufstieg der Künstlichen Intelligenz (KI) zusammen, die in einer Vielzahl von Aufgaben an Bedeutung gewinnt. Und mit der neuesten Innovation zielt Samsung darauf ab, eine KI-orientierte Lösung zu schaffen!

Es wird auch interessant sein zu beobachten, wie die 9. Generation V-NAND den Kostenfaktor beeinflusst, da die Preise für SSDs und HDDs in letzter Zeit gestiegen sind.

Der in Südkorea ansässige Technologieriese wird voraussichtlich in der zweiten Hälfte von 2024 mit der Produktion des QLC (Quad-Level Cell) Modells beginnen.

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