Samsung、9世代V-NANDの大規模生産を開始

メモリ市場における大きな進展として、サムスンは今月、すなわち2024年4月に9世代V-NAND（垂直NAND）の量産を開始しました。これは前世代に比べて50%のビット密度の改善を提供し、チャネルホールエッチング技術を搭載しています。

公式プレスリリースによると、新世代のV-NANDは、セル干渉回避やセル寿命延長などの最近の革新が適用されているため、より効果的で信頼性が高く、長持ちします。

9世代V-NANDは10%の電力を削減し、炭素排出に関する懸念が高まる中、今後数年間の理想的なソリューションとなります。

9世代V-NANDの発表に際し、サムスン電子のハン・スンホイ氏は次のように述べました。

業界初の9世代V-NANDを提供できることに興奮しています。これは未来のアプリケーションを飛躍的に進展させるでしょう。NANDフラッシュソリューションの進化するニーズに対応するため、サムスンは次世代製品のセルアーキテクチャと運用スキームの限界を押し広げました。最新のV-NANDを通じて、サムスンは今後のAI世代のニーズに応える高性能・高密度のソリッドステートドライブ（SSD）市場のトレンドを引き続き設定していきます。 新しいNANDフラッシュインターフェースToggle 5.1により、9世代V-NANDはデータの入出力を3.2 Gbpsに改善し、前世代に比べて33%の増加を実現しています。

サムスンが9世代V-NANDの量産を開始するのは、人工知能（AI）が重要性を増し、さまざまなタスクに統合される中でのことです。そして、最新の革新により、サムスンはAI指向のソリューションを創出することを目指しています！

最近、SSDおよびHDDの価格が上昇している中で、9世代V-NANDがコスト要因にどのように影響するかも注目されます。

韓国に本拠を置くテクノロジー大手は、2024年の後半にQLC（クアッドレベルセル）モデルの生産を開始することも期待されています。

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