Samsung начинает массовое производство 9-го поколения V-NAND
В значительном событии на рынке памяти Samsung начала массовое производство 9-го поколения V-NAND (Вертикальный NAND) в этом месяце, т.е. апрель 2024 года. Он обеспечивает 50% улучшение плотности битов по сравнению с предыдущим поколением и оснащен технологией Channel Hole Etching.
Согласно официальному пресс-релизу, новое поколение V-NAND более эффективно, надежно и долговечно, учитывая применение последних инноваций, таких как избежание интерференции ячеек и продление срока службы ячеек.
9-е поколение V-NAND потребляет на 10% меньше энергии, что делает его идеальным решением на многие годы вперед, поскольку растут опасения по поводу углеродных выбросов.
По поводу выпуска 9-го поколения V-NAND СунгХой Хур из Samsung Electronics сказал,
Мы рады представить первое в отрасли 9-е поколение V-NAND, которое сделает шаг вперед в будущих приложениях. Чтобы удовлетворить развивающиеся потребности в решениях NAND flash, Samsung расширила границы архитектуры ячеек и операционной схемы для нашего продукта следующего поколения. С помощью нашего последнего V-NAND Samsung продолжит задавать тренды на рынке твердотельных накопителей (SSD) с высокой производительностью и высокой плотностью, которые соответствуют потребностям грядущего поколения ИИ.
Источник изображения: Samsung С новым интерфейсом NAND-flash, Toggle 5.1, 9-е поколение V-NAND улучшает ввод/вывод данных до 3.2 Гбит/с, что составляет 33% увеличение по сравнению с предыдущим поколением.
Начало массового производства 9-го поколения V-NAND совпадает с ростом популярности Искусственного Интеллекта (ИИ) и его интеграцией в широкий спектр задач. И с последней инновацией Samsung стремится создать решение, ориентированное на ИИ!
Также будет интересно наблюдать, как 9-е поколение V-NAND повлияет на стоимость, поскольку цены на SSD и HDD недавно возросли.
Южнокорейский технологический гигант также ожидает начать производство модели QLC (Quad-level Cell) во второй половине 2024 года.
Вы рады последнему 9-му поколению V-NAND от Samsung? Поделитесь с нами в разделе комментариев.
Источник изображения: Samsung С новым интерфейсом NAND-flash, Toggle 5.1, 9-е поколение V-NAND улучшает ввод/вывод данных до 3.2 Гбит/с, что составляет 33% увеличение по сравнению с предыдущим поколением.