Samsung inicia produção em massa do V-NAND de 9ª geração

Em um grande desenvolvimento no mercado de memória, a Samsung começou a produção em massa do V-NAND de 9ª geração (Vertical NAND) este mês, ou seja, abril de 2024. Ele oferece uma melhoria de 50% na densidade de bits em relação à geração anterior e vem equipado com a tecnologia Channel Hole Etching.

De acordo com o comunicado de imprensa oficial, a nova geração de V-NAND é mais eficaz, confiável e duradoura, dada a aplicação de inovações recentes, como a prevenção de interferência entre células e a extensão da vida útil das células.

O V-NAND de 9ª geração consome 10% menos energia, tornando-se uma solução ideal para os próximos anos, à medida que as preocupações com as emissões de carbono aumentam.

Na divulgação do V-NAND de 9ª geração, SungHoi Hur, da Samsung Electronics, disse,

Estamos empolgados em entregar o primeiro V-NAND de 9ª geração da indústria, que trará aplicações futuras a passos largos. Para atender às necessidades em evolução para soluções de flash NAND, a Samsung ultrapassou os limites na arquitetura de células e no esquema operacional para nosso produto de próxima geração. Através do nosso mais recente V-NAND, a Samsung continuará a definir a tendência para o mercado de unidades de estado sólido (SSD) de alto desempenho e alta densidade que atende às necessidades da próxima geração de IA. Com uma nova interface de flash NAND, Toggle 5.1, o V-NAND de 9ª geração melhora a entrada/saída de dados para 3,2 Gbps, um aumento de 33% em relação à geração anterior.

O início da produção em massa do V-NAND de 9ª geração pela Samsung ocorre em um momento em que a Inteligência Artificial (IA) ganha destaque e encontra integração em uma ampla gama de tarefas. E com a mais recente inovação, a Samsung pretende criar uma solução orientada para IA!

Também será interessante observar como o V-NAND de 9ª geração afeta o fator de custo, já que os preços de SSD e HDD aumentaram recentemente.

A gigante da tecnologia com sede na Coreia do Sul também deve começar a produção do modelo QLC (Quad-level Cell) na segunda metade de 2024.

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